RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
37
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
32
37
Velocidad de lectura, GB/s
18.9
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3621
2389
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link