RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3568
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link