RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
39
Wokół strony -56% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.2
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
25
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
4039
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KL9 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link