RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
42
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
42
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
2034
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link