RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
39
Wokół strony -95% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
20
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3127
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link