RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Porównaj
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
63
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
5.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
63
25
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
5.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1274
3886
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Porównanie pamięci RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link