Porównanie pamięci RAM PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs InnoDisk Corporation 16GB

Wynik ogólny

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

38 63

Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

7.7 6.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.2 5.0

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB

InnoDisk Corporation 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1274 2163

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns