RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3142
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link