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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KDK8NX-MIE 16GB
総合得点
PNY Electronics PNY 2GB
総合得点
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
34
周辺 21% 低遅延
考慮すべき理由
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
13.8
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
11.7
8.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
34
読み出し速度、GB/s
13.8
17.4
書き込み速度、GB/秒
8.4
11.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2274
3142
PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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