RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
35
Wokół strony 23% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
35
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3215
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link