RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3048
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link