RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
70
Wokół strony 61% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
70
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1971
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link