RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3473
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link