RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3143
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link