RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2489
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F5-6000J4040F16G 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link