RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2732
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link