RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3013
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link