RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
90
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
90
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1546
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link