RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
33
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
33
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2918
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link