RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3413
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link