RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3313
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link