RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.9
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3191
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link