RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3837
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-160.A00LF 8GB
Kingston 9905471-079.A00LF 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905474-043.A00LF 4GB
Kingston 9905403-890.A00LF 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link