RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3039
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link