Porównanie pamięci RAM PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Wynik ogólny

PNY Electronics PNY 2GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

27 83

Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.4 7.8

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.3 13.8

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

PNY Electronics PNY 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2274 1752

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns