RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
83
Wokół strony 67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
83
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1752
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 93T2950CZ3-CCC 1GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3160EB68FAW1600 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link