RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2901
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link