RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
44
Wokół strony 39% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
44
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3146
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link