RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
41
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2238
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link