RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
64
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
64
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2197
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link