RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2616
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link