RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3239
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link