RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
39
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
39
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2011
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link