RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2962
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link