RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
73
Wokół strony 63% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
13.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
73
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
1822
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link