RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
42
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
42
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2551
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link