RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Team Group Inc. 16GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Team Group Inc. 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2873
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Team Group Inc. 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link