RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
28
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
3480
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link