RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
57
Wokół strony 53% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
57
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2328
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link