RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Porównaj
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Wynik ogólny
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
51
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,832.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
49
Prędkość odczytu, GB/s
4,433.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,832.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
646
2534
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link