RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Porównaj
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Wynik ogólny
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
51
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
1,832.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,433.3
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,832.2
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
646
2361
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link