RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
48
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
31
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
3179
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information JM1333KSN-4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link