RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
38
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
27
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
3245
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link