RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
48
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
48
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2753
3047
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link