RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
79
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
2856
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link