RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
38
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2871
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Team Group Inc. 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link