RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
79
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3004
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Transcend Information TS256MLQ64V8U 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link