RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Porównaj
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
79
Wokół strony -243% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,468.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
79
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,061.8
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,468.1
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
422
3317
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
InnoDisk Corporation 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-434.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ASU16D3LS1KFG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link