RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
79
Около -243% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.0
1,468.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
79
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,061.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,468.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
422
3317
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB Сравнения RAM
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link