Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB против Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

-->

Средняя оценка

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Причины выбрать
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

1,468.1 1,264.4

Среднее значение в тестах

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Причины выбрать
Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

68 79

Около -16% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

79 68
Скорость чтения, Гб/сек

3,061.8 2,214.4
Скорость записи, Гб/сек

1,468.1 1,264.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 6400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 5-5-5-15 / 800 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

422 284

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

Kingston 9965596-029.B00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

Micron Technology 8HTF12864HDY-800G1 1GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB

модули RAM