RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,069.2
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
106
Wokół strony -430% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
106
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,273.7
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,069.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
734
3540
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB Porównanie pamięci RAM
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link